Procés de producció d'un sol cristall de carbur de silici
El carbur de silici (SiC) és un material semiconductor important amb excel·lents propietats elèctriques i termodinàmiques. S'utilitza àmpliament en dispositius electrònics de potència, dispositius optoelectrònics, sensors i altres camps. El carbur de silici monocristal és una de les formes més utilitzades de materials de carbur de silici. El seu procés de preparació és relativament complex, incloent principalment la preparació de matèries primeres, el creixement de cristalls i el processament d'hòsties.
El material de cristall únic de carbur de silici utilitza principalment pols de grau Si d'alta puresa com a matèria primera per fer créixer cristalls únics mitjançant mètodes termodinàmics. En primer lloc, cal seleccionar la pols de carbur de silici adequada com a matèria primera. La puresa i la mida de les partícules de la pols tenen una influència important en la qualitat del cristall final. En general, es selecciona pols de carbur de silici d'alta puresa amb un diàmetre de pols d'entre 1 i 5um i es preescalfa per eliminar les impureses de la superfície de la pols. Al mateix temps, també cal preparar una quantitat adequada de dissolvent i flux per promoure el creixement dels cristalls de carbur de silici.
Descripció dels productes
|
Nom del producte |
Carbur de silici |
| Expansivitat lineal |
1.5-2 |
| Duresa | Abrasiu convencional |
| Especificació | D'acord amb la petició del client |
Logotip i enviament
P: Puc tenir el meu propi LOGO al producte?
Sí, ens podeu enviar el vostre disseny i podem fer el vostre LOGO.
P: Podeu organitzar l'enviament?
Per descomptat, tenim un transportista permanent que pot obtenir el millor preu de la majoria de les companyies de vaixells i oferir un servei professional.
Etiquetes populars: pols de carbur de silici, fabricants de pols de carbur de silici de la Xina, proveïdors, fàbrica