Pols de silici carbie per polir el poliment

La fabricació de carbur de silici implica diversos processos complexos. Un dels mètodes principals és el procés Acheson, desenvolupat a finals del segle XIX. En aquest procés, s’escalfa una barreja de sorra de sílice i coca de petroli en un forn de resistència elèctrica a temperatures al voltant de 2000 - 2500 grau. L’alta temperatura provoca una reacció química entre el diòxid de silici a la sorra i el carboni al Coke, donant lloc a la formació de carbur de silici. Tot i això, el procés Acheson produeix normalment carbur de silici amb impureses, cosa que requereix més passos de purificació.

Les tècniques de fabricació modernes se centren en la producció de carbur de silici de cristall d’alta puresa per a aplicacions de semiconductors. La deposició de vapor químic (CVD) és un mètode àmpliament utilitzat per al cultiu de cristalls únics de gran qualitat. En el CVD, s’introdueix una barreja de silici volàtil (contenidor i carboni) en un reactor d’alta temperatura. Aquests precursors es descomponen i dipositen els àtoms de silici i carboni en un cristall de llavors, creixent gradualment un gran sic sic de cristall. Cal controlar amb precisió el procés de creixement per assegurar la qualitat del cristall, ja que qualsevol defecte pot afectar significativament el rendiment dels dispositius basats en SIC. Després del creixement del cristall, els ramaderia es tallen, es politzen i es processen en hòsties, que després s’utilitzen per fabricar diversos dispositius electrònics i optoelectrònics basats en SIC.

Zhenan és una empresa especialitzada en productes metal·lúrgics i refractaris, integrant la producció, el processament, les vendes i la importació i exportació de negocis. Ens centrem en la creació d’un equip dedicat de professionals a tot el món. A Zhenan, ens comprometem a proporcionar solucions completes proporcionant la "qualitat i quantitat adequada" per suposar els processos del nostre client.

Etiquetes populars: En pols de silici Carbie per polir polit