Duresa i resistència mecànica excepcionals
Duresa de Mohs de ~9,5, només per darrere del diamant i el nitrur de bor.
Altresistència al desgast, el que el fa ideal per a aplicacions abrasives (per exemple, moles, eines de tall).
Manté l'estabilitat mecànica fins i tot sota estrès extrem.
Propietats dels semiconductors de banda ampla
Interrupció de banda de 3,26 eV (4H-SiC), significativament més gran que el silici (1,12 eV).
Habilita el funcionament atensions, temperatures i freqüències més elevades.
Redueix les pèrdues d'energia en l'electrònica de potència.
Altintensitat del camp elèctric crític(10 vegades la del silici), permetent dissenys de dispositius més prims i eficients.
Excel·lents propietats tèrmiques
Alta conductivitat tèrmica (~ 490 W/m·K per 4H-SiC a temperatura ambient), superant la majoria de metalls i semiconductors.
Excel·lentdissipació de calor, crucial per a l'electrònica de potència i els dispositius d'alta freqüència.
Estabilitat tèrmica fins a 1.600 graus(punt de fusió ~ 2.700 graus), adequat per a entorns extrems (per exemple, aeroespacial, reactors nuclears).
Avantatges clau enfront dels materials tradicionals
| Propietat | Carbur de silici (SiC) | Silici (Si) | Nitrur de gal·li (GaN) |
|---|---|---|---|
| Bandgap (eV) | 3.26 | 1.12 | 3.4 |
| Conductivitat tèrmica | Alt (~490 W/m·K) | Baix (~150 W/m·K) | Moderada (~253 W/m·K) |
| Temperatura màxima de funcionament. | ~600 graus + | ~150 graus | ~300 graus |
| Intensitat del camp elèctric | 10x Si | Línia de base | ~3x Si |
Etiquetes populars: característiques clau del carbur de silici sic, Xina característiques clau dels fabricants de carbur de silici sic, proveïdors, fàbrica